《数字集成电路分析与设计:深亚微米技术》

本书的第3版，把当前数字集成电路中已无可争议地占绝对主导地位的CMOS电路技术作为主要内容。全书以当前工业界领先的0.18T微米和0.13微米的工艺技术为基础，注入了许多深亚微米领域电路设计方面的资料，如最先进的电路制造工艺、BSIM3短沟器件模型、深亚微米的互连技术和时钟技术、基于逻辑力度（Logic Effort）的高速CMOS电路设计技术、电源网络设计等。此外，第3版还新增了一些较新和较深的内容，如快闪存储器（Flash Memory)、铁电存储器（FRAM）、锁相环（PLL）等，因此第3版明显地具有集成电路深亚微米时代的特点。 本书可用作高等院校电子信息、自动控制、电气工程、精密仪器等专业本科高年级演密仪器等专业本科高年级和研究生有关集成电路课程的教材。全书共分11章，其中第1-8章为最基本的内容，第9-11章可根据不同的教学计划和教学要求选择不同的内容。本书各章中内容较深的部分可供讲授研究生课程时选用。由于本书内容选进详实，因此对于从事集成电路设计的工程技术人员来说也是一本不可多得的优秀参考书。